Phạm Văn Thuần chia sẻ: 

"Mình là Phạm Văn Thuần, cựu sinh viên Khoa Vật lý kỹ thuật và công nghệ Nano - Trường Đại học Công nghệ – ĐHQGHN. Sinh ra và lớn lên ở một gia đình nghèo, mình từng nghĩ đi học đại học chỉ đơn giản là học tốt để ra trường đi làm công ty gần nhà. Nhưng nhờ vào môi trường tại Khoa Vật lý kỹ thuật và công nghệ Nano, mọi thứ đã thay đổi. Tại đây, mình có cơ hội tiếp xúc với nghiên cứu khoa học vào

năm cuối đại học tại Phòng thí nghiệm trọng điểm công nghệ Micro và Nano (VMINATEC). Đây chính là bệ phóng đầu tiên, giúp mình có nền tảng kiến thức vững vàng và tư duy nghiên cứu chuẩn mực để tiếp tục giành học bổng Thạc sĩ sang Nhật.

Tại Viện Khoa học và Công nghệ Tiên tiến Nhật Bản (JAIST), mình tiếp tục theo học ngành Material Science, và thực hiện nghiên cứu về Vertical Spin Field-Effect Transistor (VSFET) dưa trên vật liệu lai bán dẫn/sắt từ — thiết bị bóng bán dẫn hiệu ứng trường ứng dụng vận chuyển spin điện tử trong kênh bán dẫn để điều khiển dòng điện, với tiềm năng ứng dụng lớn trong điện tử tiêu thụ năng lượng thấp. JAIST có đầy đủ hệ thống thiết bị fabrication ngay trong khuôn viên trường. Mình được trực tiếp thực hành các phương pháp chế tạo màng siêu mỏng kích thước chỉ vài nanomet bằng Molecular Beam Epitaxy (MBE), Sputtering hay Atomic Layer Deposition (ALD). Đồng thời, mình chế tạo những thiết bị (transitors) kích cỡ nanomet bằng các phương pháp in thạch bản như Electron Beam Lithography (EBL) và Photolithography (PL). Ngoài ra, mình còn được sử dụng các hệ đo phân tích tiên tiến như Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscopy (AFM), X-ray Diffraction (XRD), Superconducting Magnet System để kiểm tra màng và đo thiết bị. Qua đó, mình không chỉ hiểu sâu về quá trình fabrication mà còn có thể tự thiết kế và thực hiện quy trình chế tạo thiết bị bán dẫn nano-scale.

Nhờ nền tảng kỹ năng và kinh nghiệm thực tế có được tại UET và JAIST, mình tiếp tục nhận học bổng và theo học Tiến sĩ ngành Electrical and Electronic Engineering tại Institute of Science Tokyo (trước đây là Tokyo Institute of Technology) — một trong những trường đại học hàng đầu thế giới về lĩnh vực kỹ thuật điện, khoa học vật liệu. Hiện tại, mình đang nghiên cứu phát triển Spin-Orbit Torque MRAM (SOT-MRAM) dựa trên vật liệu topo— công nghệ bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ tính thế hệ mới, với tốc độ siêu nhanh và khả năng tiết kiệm năng lượng vượt trội, hứa hẹn ứng dụng trong neuromorphic computing và AI hardware.

Điều mình tự hào nhất không phải là được học ở nước ngoài hay trường top, mà là mình đã vượt qua được giới hạn của bản thân, từ một người không biết nghiên cứu là gì thành người có thể theo đuổi đam mê, làm chủ các kỹ thuật quan trọng nhằm tạo ra một con chip thực tế và đóng góp cho cộng đồng khoa học. Khoa Vật lý kỹ thuật -UET chính là nơi đã cho mình nền tảng kiến thức, tư duy nghiên cứu và sự tự tin để bước tiếp trên hành trình quốc tế. Mình hi vọng rằng, chính Khoa vật lý kỹ thuật và công nghệ nano - UET sẽ là nơi khởi đầu cho hành trình vươn ra thế giới của các bạn."

Một số hình ảnh của Phạm Văn Thuần tại Nhật Bản: